Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/11499/40723
Title: Yarıiletken diyot lazerlerinin gelişiminde akım yoğunluğunun önem ve seyri
Other Titles: Importance of curent density in development of semi-conductor diods
Authors: Temiz, Mustafa
Keywords: Fizik, Partiküller ve Alanlar
Abstract: İlk yarıiletken diyot lazerler, çoğunlukla galyum arsenit kristal bloklarından yapılmış p-n jonksiyonlarıdırlar. Enjekte edilen akım yoğunluğunda p-n homojonksiyon düzleminde elektron-delik birleşmesinden meydana gelen zorlanmış emisyon malzemenin yasak bant genişliğine tekabül eden enerjilerin frekanslarında yeterli optik kazanç sağlar. Bu prensipten hareketle, tek heterojonksiyonlu, çift heterojonksiyonlu ve müteakiben kuantum çukurlu ve kuantum noktalı lazerler dizayn edilerek yarıiletken lazerlere ait akım yoğunlukları oldukça küçültülmüştür. Kuantum noktalı lazerlerde keskin lüminesans spektrum ve oldukça düşük eşik akımları elde edilmiştir.
URI: https://hdl.handle.net/11499/40723
ISSN: 1302-3160
2146-0205
Appears in Collections:Mühendislik Fakültesi Koleksiyonu
TR Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu / TR Dizin Indexed Publications Collection

Files in This Item:
File SizeFormat 
document.pdf490.92 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record



CORE Recommender

Page view(s)

58
checked on Aug 24, 2024

Download(s)

6
checked on Aug 24, 2024

Google ScholarTM

Check





Items in GCRIS Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.