Uydu haberleşme sistemlerinin alıcı modülleri için çift-bandlı yüksek performanslı düşük gürültülü yükselticilerin (DGY) düzlemsel yapılar kullanılarak tasarımı: UHF ve S Bandı uygulamaları

Abstract

Bu tezde yeni olarak iki farklı tek bandlı yükseltici tasarlanacaktır. Smith abağı kullanılarak tasarlanan yükselticiler üzerinde indüktif yüklemenin etkisi incelenecektir. Tasarlanan iki farklı tek bandlı yükseltici devreleri birleştirilerek, nihai çift bandlı yükseltici yapısına ulaşılmıştır. Tasarlanan yükselticilerin saçılma parametrelerini (iletim (S21) ve yansıma (S11)) elde edebilmek için ABCD matrislerinden yararlanılmıştır. Bu matematiksel ifadeler bilgisayar destekli matematik programında yazılıp grafik çıktıları elde edilmiştir ve bu grafik çıktıları simülasyon sonuçları ile karşılaştırılmıştır. Bu karşılaştırma sonucunda simülasyon sonuçları ile teorik sonuçların büyük ölçüde tutarlı olduğu görülmektedir. Tasarlanan tüm yapılarda taban malzemesi olarak bağıl dielektrik geçirgenliği 10.2, kalınlığı 1.27mm ve kayıp tanjantı (tan?) 0.0023 olan RT/Duroid taban malzemesi kullanılmaktadır. Giriş ve çıkış portları 50?’dur. Tasarlanan çift bandlı yükseltici RT/Duroid taban malzemesi kullanılarak gerçekleştirilecektir. Ülkemiz savunma sanayisinin de ihtiyaçları göz önünde bulundurularak tasarlanacak ve imal edilecek devrelerin ulusal anlamda büyük bir öneme sahip olabileceği düşünülmektedir. Bu doğrultuda, önerilen tezin başarıyla sonuçlanması hem uluslararası mikrodalga literatüründe hem de ulusal savunma sanayisinde önemli bir yere sahip olacağı açıktır.

It is desinged as two new single-band amplifier in this thesis. Inductive loading will be examined on the amplifiers which designed using Smith charts. By combining two different single band amplifier circuits, obtained final two-band amplifier structure. Designed amplifiers scattering parameters (transmission (S21) and reflection (S11)) were used to obtain the ABCD matrix. The mathematical expressions are written in computer based mathematics program to obtain graphical outputs and compared with the graphical output of simulation results. Comparision of theoretical results with the simulation results shows that there is substantially consistent. All designed structures uses RT/Duroid substrate which’s properties are relative dielectric permittivity 10.2, the thickness of 1.27mm and loss tangent (tan?) is 0.0023. Both input and output ports are 50?. The simulation with experimental results appear to be in good agreement. Considering the defense industry of our country’s needs, amplifiers that will be manufactured and designed may also have a great importance in national sense. In this respect, the successful conclusion of the proposed thesis will have an important place both international literature and national defense industry.