Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/11499/1612
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorKoray Yılmaz-
dc.contributor.authorGölcür, Deniz-
dc.date.accessioned2017-04-03T07:30:14Z
dc.date.available2017-04-03T07:30:14Z
dc.date.issued2012-
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11499/1612-
dc.description.abstractBu çalışmada II-III-VI yarıiletken sınıfına ait CdInTe ve CdIn2Te4 bileşikleri kaynak malzeme olarak kullanılarak termal buharlaştırma yöntemiyle farklı alttaş sıcaklıklarında ince filmler elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin yapısal, elektriksel, optik ve yüzeysel özellikleri farklı analiz teknikleri ile incelenmiş ve bu özellikler üzerine alttaş sıcaklığı etkisi araştırılmıştır. İnce filmlerin yüzey özellikleri ve elementel analizleri taramalı elektron mikroskobu (SEM), enerji dağınım (dispersive) spektrometresi (EDS) cihazları ile incelenmiştir. Yarıiletken filmlerin kristal yapıları X-ışını kırınım (XRD) metodu ile araştırılmıştır. Üretilen ince filmlerin enerji-bant yapısını belirlemek için UV-Vis spektrofotometre cihazı kullanılmıştır. Filmlerin elektriksel özelliklerini belirlemek üzere sıcaklığa bağlı elektriksel iletkenlik ölçümleri ve Hall etkisi ölçümleri yapılmıştır. Son olarak filmlerin ışığa karşı duyarlılığını araştırmak üzere ışık şiddetine bağlı fotoiletkenlik ölçümleri yapılmıştır. Sonuç olarak; alttaş sıcaklığının CdInTe ve CdIn2Te4 ince filmlerinin yapısal, optik ve elektriksel özellikleri üzerine etkileri tartışılmış ve yorumlanmıştır.en_US
dc.description.abstractIn this work, thermally evaporated CdInTe and CdIn2Te4 semiconductor compound thin films which belong to II-III-VI family were studied at different substrate temperatures. The effects of substrate temperature on the electrical, structural and optical properties of thin films were investigated by various experimental techniques. Surface properties and elemental analysis of the thin films were studied by scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive spectrometer (EDS) equipments. The crystal structure of the semiconductor films were investigated by X-ray diffraction (XRD) method. The energy-band structure were determined by using a UV-Vis spectrophotometer. Hall effect and temperature dependent conductivity measurements were used to determine electrical properties of the films. Finally, photoconductivity measurements depend on light intensity were carried out to study photosensitivity of the films.As a conclusion, the effects of substrate temperature on the structural, optical and electrical properties of the CdInTe and CdIn2Te4 thin films were discussed and interpreted.en_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherPamukkale Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectİnce Filmen_US
dc.subjectTermal Buharlaştırmaen_US
dc.subjectAlttaş Sıcaklığıen_US
dc.subjectCdInTeen_US
dc.subjectThin Filmen_US
dc.subjectThermal Evaporationen_US
dc.subjectSubstrate Temperatureen_US
dc.subjectCdInTeen_US
dc.titleCdInTe ince filmlerinin optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesien_US
dc.title.alternativeInvestigation of optical and electrical properties of CdInTe thin filmsen_US
dc.typeMaster Thesisen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.identifier.yoktezid325768en_US
dc.ownerPamukkale University-
item.fulltextWith Fulltext-
item.languageiso639-1tr-
item.grantfulltextopen-
item.openairetypeMaster Thesis-
item.cerifentitytypePublications-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_18cf-
Appears in Collections:Tez Koleksiyonu
Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Deniz Gölcür.pdf2.7 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show simple item record



CORE Recommender

Google ScholarTM

Check





Items in GCRIS Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.