Please use this identifier to cite or link to this item:
https://hdl.handle.net/11499/1612
Title: | CdInTe ince filmlerinin optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi | Other Titles: | Investigation of optical and electrical properties of CdInTe thin films | Authors: | Gölcür, Deniz | Advisors: | Koray Yılmaz | Keywords: | İnce Film Termal Buharlaştırma Alttaş Sıcaklığı CdInTe Thin Film Thermal Evaporation Substrate Temperature CdInTe |
Publisher: | Pamukkale Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü | Abstract: | Bu çalışmada II-III-VI yarıiletken sınıfına ait CdInTe ve CdIn2Te4 bileşikleri kaynak malzeme olarak kullanılarak termal buharlaştırma yöntemiyle farklı alttaş sıcaklıklarında ince filmler elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin yapısal, elektriksel, optik ve yüzeysel özellikleri farklı analiz teknikleri ile incelenmiş ve bu özellikler üzerine alttaş sıcaklığı etkisi araştırılmıştır. İnce filmlerin yüzey özellikleri ve elementel analizleri taramalı elektron mikroskobu (SEM), enerji dağınım (dispersive) spektrometresi (EDS) cihazları ile incelenmiştir. Yarıiletken filmlerin kristal yapıları X-ışını kırınım (XRD) metodu ile araştırılmıştır. Üretilen ince filmlerin enerji-bant yapısını belirlemek için UV-Vis spektrofotometre cihazı kullanılmıştır. Filmlerin elektriksel özelliklerini belirlemek üzere sıcaklığa bağlı elektriksel iletkenlik ölçümleri ve Hall etkisi ölçümleri yapılmıştır. Son olarak filmlerin ışığa karşı duyarlılığını araştırmak üzere ışık şiddetine bağlı fotoiletkenlik ölçümleri yapılmıştır. Sonuç olarak; alttaş sıcaklığının CdInTe ve CdIn2Te4 ince filmlerinin yapısal, optik ve elektriksel özellikleri üzerine etkileri tartışılmış ve yorumlanmıştır. In this work, thermally evaporated CdInTe and CdIn2Te4 semiconductor compound thin films which belong to II-III-VI family were studied at different substrate temperatures. The effects of substrate temperature on the electrical, structural and optical properties of thin films were investigated by various experimental techniques. Surface properties and elemental analysis of the thin films were studied by scanning electron microscope (SEM) and energy dispersive spectrometer (EDS) equipments. The crystal structure of the semiconductor films were investigated by X-ray diffraction (XRD) method. The energy-band structure were determined by using a UV-Vis spectrophotometer. Hall effect and temperature dependent conductivity measurements were used to determine electrical properties of the films. Finally, photoconductivity measurements depend on light intensity were carried out to study photosensitivity of the films.As a conclusion, the effects of substrate temperature on the structural, optical and electrical properties of the CdInTe and CdIn2Te4 thin films were discussed and interpreted. |
URI: | https://hdl.handle.net/11499/1612 |
Appears in Collections: | Tez Koleksiyonu |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Deniz Gölcür.pdf | 2.7 MB | Adobe PDF | View/Open |
CORE Recommender
Items in GCRIS Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.